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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloFJP5027RTU
FJP5027RTU Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FJP5027RTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FJP5027RTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FJP5027RTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FJP5027.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 106180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FJP5027RTU
Specifiche tecniche onsemi - FJP5027RTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FJP5027RTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 800 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Potenza - Max 50 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 15MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 200mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base FJP5027  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FJP5027RTU

Proprietà del prodotto FJP5027RTU FJP5304DTU FJP3307DTU FJP5304DTU
Modello di prodotti FJP5027RTU FJP5304DTU FJP3307DTU FJP5304DTU
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 800 V 400 V 400 V 400 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 4 A 8 A 4 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Numero di prodotto di base FJP5027 FJP5304 FJP330 -
Potenza - Max 50 W 70 W 80 W 70 W
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A 1.5V @ 500mA, 2.5A 3V @ 2A, 8A 1.5V @ 500mA, 2.5A
Frequenza - transizione 15MHz - - -
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 200mA, 5V 8 @ 2A, 5V 5 @ 5A, 5V 8 @ 2A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA (ICBO) 250mA - 250mA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FJP5027RTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FJP5027RTU PDF e la documentazione onsemi per FJP5027RTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FJP5027.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 21/Apr/2929.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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