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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloFJI5603DTU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FJI5603DTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FJI5603DTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FJI5603DTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
FJI5603D.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 48550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FJI5603DTU
Specifiche tecniche onsemi - FJI5603DTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FJI5603DTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 800 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 200mA, 1A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie -  
Potenza - Max 100 W  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 5MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base FJI5603  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FJI5603DTU

Proprietà del prodotto FJI5603DTU MMST4401 NJT4031NT3G 2SD21390PA
Modello di prodotti FJI5603DTU MMST4401 NJT4031NT3G 2SD21390PA
fabbricante onsemi Yangjie Technology onsemi Panasonic Electronic Components
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) SOT-323 SOT-223 (TO-261) MT-4-A1
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA 100nA 100nA (ICBO) 100µA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 200mA, 1A 400mV @ 15mA, 150mA 300mV @ 300mA, 3A 1V @ 50mA, 2A
Frequenza - transizione 5MHz 250MHz 215MHz 50MHz
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SC-70, SOT-323 TO-261-4, TO-261AA 3-SIP
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 600 mA 3 A 3 A
Numero di prodotto di base FJI5603 - NJT4031 2SD2139
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V 100 @ 150mA, 1V 200 @ 1A, 1V 800 @ 500mA, 4V
Potenza - Max 100 W 200 mW 2 W 2 W
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 800 V 40 V 40 V 60 V
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN

FJI5603DTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FJI5603DTU PDF e la documentazione onsemi per FJI5603DTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Schede tecniche
FJI5603D.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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