Specifiche
Specifiche tecnologiche FGY75T120SQDN
Specifiche tecniche onsemi - FGY75T120SQDN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FGY75T120SQDN
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
onsemi |
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
1200 V |
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| Vce (on) (max) a VGE, Ic |
1.95V @ 15V, 75A |
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| Condizione di test |
600V, 75A, 10Ohm, 15V |
|
| Td (on / off) @ 25 ° C |
64ns/332ns |
|
| di scambio energetico |
6.25mJ (on), 1.96mJ (off) |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
TO-247-3 |
|
| Serie |
- |
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| Tempo di ripristino inverso (trr) |
99 ns |
|
| Potenza - Max |
790 W |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Contenitore / involucro |
TO-247-3 Variant |
|
| Pacchetto |
Tube |
|
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Tipo di ingresso |
Standard |
|
| Tipo IGBT |
Field Stop |
|
| carica gate |
399 nC |
|
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) |
300 A |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
150 A |
|
| Numero di prodotto di base |
FGY75 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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FGY75T95SQDTONsemi
IRG4BC30WInfineon TechnologiesIGBT 600V 23A 100W TO220AB
FGY75N60SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTP2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W TO220AB