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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloFGA60N65SMD
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FGA60N65SMD - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FGA60N65SMD
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FGA60N65SMD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FGA60N65SMD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8669

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FGA60N65SMD
Specifiche tecniche onsemi - FGA60N65SMD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FGA60N65SMD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 60A  
Condizione di test 400V, 60A, 3Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 18ns/104ns  
di scambio energetico 1.54mJ (on), 450µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 47 ns  
Potenza - Max 600 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT Field Stop  
carica gate 189 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 180 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 120 A  
Numero di prodotto di base FGA60N65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FGA60N65SMD

Proprietà del prodotto FGA60N65SMD FGA6540WDF FGA60N60UFDTU FGA6065ADF
Modello di prodotti FGA60N65SMD FGA6540WDF FGA60N60UFDTU FGA6065ADF
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
carica gate 189 nC 55.5 nC 188 nC 84 nC
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3PN TO-3PN TO-3PN
di scambio energetico 1.54mJ (on), 450µJ (off) 1.37mJ (on), 250µJ (off) 1.81mJ (on), 810µJ (off) 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 180 A 120 A 180 A 180 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 47 ns 101 ns 47 ns 110 ns
Condizione di test 400V, 60A, 3Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Tipo IGBT Field Stop Trench Field Stop Field Stop Trench Field Stop
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 60A 2.3V @ 15V, 40A 2.4V @ 15V, 60A 2.3V @ 15V, 60A
Potenza - Max 600 W 238 W 298 W 306 W
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Td (on / off) @ 25 ° C 18ns/104ns 16.8ns/54.4ns 23ns/130ns 25.6ns/71ns
Corrente - collettore (Ic) (max) 120 A 80 A 120 A 120 A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V 650 V 600 V 650 V
Numero di prodotto di base FGA60N65 - FGA60N60 FGA6065
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard

FGA60N65SMD Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FGA60N65SMD PDF e la documentazione onsemi per FGA60N65SMD - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 05/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
FGA60N65SMD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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