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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FGA30N65SMD - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FGA30N65SMD
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FGA30N65SMD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FGA30N65SMD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FGA30N65SMD
Specifiche tecniche onsemi - FGA30N65SMD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FGA30N65SMD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 30A  
Condizione di test 400V, 30A, 6Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 14ns/102ns  
di scambio energetico 716µJ (on), 208µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 35 ns  
Potenza - Max 300 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT Field Stop  
carica gate 87 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 90 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 60 A  
Numero di prodotto di base FGA30N65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FGA30N65SMD

Proprietà del prodotto FGA30N65SMD FGA30N65SMD FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU
Modello di prodotti FGA30N65SMD FGA30N65SMD FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tempo di ripristino inverso (trr) 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 30A 2.5V @ 15V, 30A 1.4V @ 15V, 30A 1.4V @ 15V, 30A
Tipo IGBT Field Stop Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
Td (on / off) @ 25 ° C 14ns/102ns 14ns/102ns 18ns/250ns 18ns/250ns
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Potenza - Max 300 W 300 W 480 W 480 W
di scambio energetico 716µJ (on), 208µJ (off) 716µJ (on), 208µJ (off) 1.1mJ (on), 21mJ (off) 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V 650 V 600 V 600 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 60 A 60 A 60 A 60 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3P
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Condizione di test 400V, 30A, 6Ohm, 15V 400V, 30A, 6Ohm, 15V 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 90 A 90 A 90 A 90 A
Numero di prodotto di base FGA30N65 FGA30N65 FGA30N60 FGA30N60
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie - - - -
carica gate 87 nC 87 nC 225 nC 225 nC

FGA30N65SMD Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FGA30N65SMD PDF e la documentazione onsemi per FGA30N65SMD - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Change 08/Oct/2020.pdf
Schede tecniche
FGA30N65SMD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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