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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloFFSD1065A
FFSD1065A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FFSD1065A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FFSD1065A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FFSD1065A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FFSD1065A.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 13605

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FFSD1065A
Specifiche tecniche onsemi - FFSD1065A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FFSD1065A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252)  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 18A  
Capacità a Vr, F 575pF @ 1V, 100kHz  
Numero di prodotto di base FFSD1065  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FFSD1065A

Proprietà del prodotto FFSD1065A FFSH20120A FFSD10120A FFSD08120A
Modello di prodotti FFSD1065A FFSH20120A FFSD10120A FFSD08120A
fabbricante onsemi onsemi onsemi ONsemi
Numero di prodotto di base FFSD1065 FFSH20120 FFSD10120 -
Capacità a Vr, F 575pF @ 1V, 100kHz 1220pF @ 1V, 100KHz 612pF @ 1V, 100kHz -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 1200 V 1200 V -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V 200 µA @ 1200 V 200 µA @ 1200 V -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C - - -
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) TO-247-2 TO-252AA -
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) -
Corrente - raddrizzata media (Io) 18A 30A - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 20 A 1.75 V @ 10 A -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -

FFSD1065A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FFSD1065A PDF e la documentazione onsemi per FFSD1065A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Schede tecniche
FFSD1065A.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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