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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDZ202P
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDZ202P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDZ202P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDZ202P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Pacchetto
12-WFBGA
Scheda dati
FDZ202P.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDZ202P
Specifiche tecniche onsemi - FDZ202P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDZ202P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-BGA (2x2.5)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 12-WFBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 884 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDZ20  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDZ202P

Proprietà del prodotto FDZ202P FDZ204P FDZ202P FDZ191P
Modello di prodotti FDZ202P FDZ204P FDZ202P FDZ191P
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta) 4.5A (Ta) 5.5A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 12-BGA (2x2.5) 9-BGA (2x2.1) 12-BGA (2x2.5) 6-WLCSP (1x1.5)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±8V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 1.8W (Ta) 2W (Ta) 1.9W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.5A, 4.5V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 45mOhm @ 5.5A, 4.5V 85mOhm @ 1A, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 884 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 800 pF @ 10 V
Contenitore / involucro 12-WFBGA 9-WFBGA 12-WFBGA 6-UFBGA, WLCSP
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Numero di prodotto di base FDZ20 FDZ20 - FDZ191

FDZ202P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDZ202P PDF e la documentazione onsemi per FDZ202P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDZ202P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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