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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDY3000NZ
FDY3000NZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDY3000NZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDY3000NZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDY3000NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
FDY3000NZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 233390

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDY3000NZ
Specifiche tecniche onsemi - FDY3000NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDY3000NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563F  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V  
Potenza - Max 446mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDY3000  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDY3000NZ

Proprietà del prodotto FDY3000NZ FDY3000NZ FDY2001PZ FDY3001NZ
Modello di prodotti FDY3000NZ FDY3000NZ FDY2001PZ FDY3001NZ
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Potenza - Max 446mW 446mW 446mW 446mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDY3000 FDY3000 FDY20 FDY30
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563F SOT-563F SOT-563F SOT-563F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA 600mA 150mA 200mA
Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V 60pF @ 10V 100pF @ 10V 60pF @ 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666

FDY3000NZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDY3000NZ PDF e la documentazione onsemi per FDY3000NZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 20/Aug/2008.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab 03/Nov/2021.pdf
Schede tecniche
FDY3000NZ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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