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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDV305N
FDV305N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDV305N - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDV305N
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDV305N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FDV305N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 244280

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDV305N
Specifiche tecniche onsemi - FDV305N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDV305N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 109 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)  
Numero di prodotto di base FDV305  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDV305N

Proprietà del prodotto FDV305N FDV304P FDV305N FDV304P
Modello di prodotti FDV305N FDV304P FDV305N FDV304P
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 220mOhm @ 900mA, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Numero di prodotto di base FDV305 FDV304 - -
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Serie PowerTrench® - PowerTrench® -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 109 pF @ 10 V 63 pF @ 10 V 109 pF @ 10 V 63 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta) 460mA (Ta) 900mA (Ta) 460mA (Ta)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 25 V 20 V 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (Max) ±12V ±8V ±12V ±8V

FDV305N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDV305N PDF e la documentazione onsemi per FDV305N - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 17/May/2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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