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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDU8782
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDU8782 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDU8782
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDU8782
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FDD8782/FDU8782.pdf
In magazzino: 3600

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDU8782
Specifiche tecniche onsemi - FDU8782, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDU8782

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDU87  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDU8782

Proprietà del prodotto FDU8782 FDU8870 FDU8796 FDU8778
Modello di prodotti FDU8782 FDU8870 FDU8796 FDU8778
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 160W (Tc) 88W (Tc) 39W (Tc)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 21A (Ta), 160A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 35A, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 14mOhm @ 35A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 13 V 5160 pF @ 15 V 2610 pF @ 13 V 845 pF @ 13 V
Numero di prodotto di base FDU87 FDU88 - FDU87
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

FDU8782 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDU8782 PDF e la documentazione onsemi per FDU8782 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Schede tecniche
FDD8782/FDU8782.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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