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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDT86113LZ
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDT86113LZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDT86113LZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDT86113LZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
FDT86113LZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 90350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDT86113LZ
Specifiche tecniche onsemi - FDT86113LZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDT86113LZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDT86113  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDT86113LZ

Proprietà del prodotto FDT86113LZ FDT86246 FDT86106LZ FDT86102LZ
Modello di prodotti FDT86113LZ FDT86246 FDT86106LZ FDT86102LZ
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta) 2.2W (Ta) 2.2W (Ta) 2.2W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 50 V 215 pF @ 75 V 315 pF @ 50 V 1490 pF @ 50 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 100 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDT86113 - FDT86106 FDT86102
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V 236mOhm @ 2A, 10V 108mOhm @ 3.2A, 10V 28mOhm @ 6.6A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 4 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc) 2A (Ta) 3.2A (Ta) 6.6A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDT86113LZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDT86113LZ PDF e la documentazione onsemi per FDT86113LZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020.pdf
Schede tecniche
FDT86113LZ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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