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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS7066ASN3
FDS7066ASN3 Image
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FDS7066ASN3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS7066ASN3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS7066ASN3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Scheda dati
FDS7066ASN3.pdf
In magazzino: 5380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS7066ASN3
Specifiche tecniche onsemi - FDS7066ASN3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS7066ASN3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS7066ASN3

Proprietà del prodotto FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
Modello di prodotti FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±12V ±25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta) 23A (Ta) 16.5A (Ta) 16A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V 4973 pF @ 15 V 3355 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.13W (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 23A, 10V 7mOhm @ 16.5A, 4.5V 7.5mOhm @ 16A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FDS70 FDS70 - FDS70
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 69 nC @ 5 V 48 nC @ 4.5 V 55 nC @ 5 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO 8-SO FLMP
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -

FDS7066ASN3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS7066ASN3 PDF e la documentazione onsemi per FDS7066ASN3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Schede tecniche
FDS7066ASN3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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