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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS6576
FDS6576 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS6576 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS6576
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6576
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6576.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 62440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6576
Specifiche tecniche onsemi - FDS6576, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS6576

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4044 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS6576

Proprietà del prodotto FDS6576 FDS6576 FDS6574A FDS6609A
Modello di prodotti FDS6576 FDS6576 FDS6574A FDS6609A
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4044 pF @ 10 V 4044 pF @ 10 V 7657 pF @ 10 V 930 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 16A (Ta) 6.3A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 105 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base FDS65 - FDS6574 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±20V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 4.5V 14mOhm @ 11A, 4.5V 6mOhm @ 16A, 4.5V 32mOhm @ 7A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6576 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS6576 PDF e la documentazione onsemi per FDS6576 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab 02/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDS6576.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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