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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS4885C
FDS4885C Image
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FDS4885C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS4885C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS4885C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS4885C.pdf
In magazzino: 5420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS4885C
Specifiche tecniche onsemi - FDS4885C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS4885C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A, 6A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDS48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS4885C

Proprietà del prodotto FDS4885C FDS4885C FDS4897AC FDS4895C
Modello di prodotti FDS4885C FDS4885C FDS4897AC FDS4895C
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A, 6A 7.5A, 6A 6.1A, 5.2A 5.5A, 4.4A
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Numero di prodotto di base FDS48 FDS48 FDS4897 FDS48
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V 26mOhm @ 6.1A, 10V 39mOhm @ 5.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 20V 900pF @ 20V 1055pF @ 20V 410pF @ 20V
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V 21nC @ 10V 21nC @ 10V 10nC @ 10V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel

FDS4885C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS4885C PDF e la documentazione onsemi per FDS4885C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDS4885C.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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