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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS4435A
FDS4435A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS4435A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS4435A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS4435A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS4435A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS4435A
Specifiche tecniche onsemi - FDS4435A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS4435A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS4435A

Proprietà del prodotto FDS4435A FDS4435 FDS4435BZ FDS4435A
Modello di prodotti FDS4435A FDS4435 FDS4435BZ FDS4435A
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 30 nC @ 5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 8.8A (Ta) 8.8A (Ta) 9A (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 15 V 1604 pF @ 15 V 1845 pF @ 15 V 2010 pF @ 15 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDS44 FDS44 FDS4435 -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

FDS4435A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS4435A PDF e la documentazione onsemi per FDS4435A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Schede tecniche
FDS4435A.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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