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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS2070N3
FDS2070N3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS2070N3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS2070N3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS2070N3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Scheda dati
FDS2070N3.pdf
In magazzino: 3770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS2070N3
Specifiche tecniche onsemi - FDS2070N3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS2070N3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 4.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1884 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS2070N3

Proprietà del prodotto FDS2070N3 FDS2170N7 FDS2070N3 FDS2070N7
Modello di prodotti FDS2070N3 FDS2170N7 FDS2070N3 FDS2070N7
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base FDS20 - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 4.1A, 10V 128mOhm @ 3A, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 200 V 150 V 150 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1884 pF @ 75 V 1292 pF @ 100 V 1884 pF @ 75 V 1884 pF @ 75 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO FLMP 8-SO 8-SO 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta) 3A (Ta) 4.1A (Ta) 4.1A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDS2070N3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS2070N3 PDF e la documentazione onsemi per FDS2070N3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Schede tecniche
FDS2070N3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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