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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDR838P
FDR838P Image
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FDR838P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDR838P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDR838P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Scheda dati
FDR838P.pdf
In magazzino: 4950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDR838P
Specifiche tecniche onsemi - FDR838P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDR838P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDR83  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDR838P

Proprietà del prodotto FDR838P FDR836P FDR840P FDR4420A
Modello di prodotti FDR838P FDR836P FDR840P FDR4420A
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 4.5V 30mOhm @ 6.1A, 4.5V 12mOhm @ 10A, 4.5V 9mOhm @ 11A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 10 V 2200 pF @ 25 V 4481 pF @ 10 V 2560 pF @ 15 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Serie - PowerTrench® - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) 900mW (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) 6.1A (Ta) 10A (Ta) 11A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDR83 - - FDR44
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDR838P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDR838P PDF e la documentazione onsemi per FDR838P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDR838P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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