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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDPF9N50NZ
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDPF9N50NZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDPF9N50NZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDPF9N50NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FDPF9N50NZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDPF9N50NZ
Specifiche tecniche onsemi - FDPF9N50NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDPF9N50NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Numero di prodotto di base FDPF9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDPF9N50NZ

Proprietà del prodotto FDPF9N50NZ FDPF8N60ZUT FDPF8N50NZ FDPF7N50U
Modello di prodotti FDPF9N50NZ FDPF8N60ZUT FDPF8N50NZ FDPF7N50U
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id - 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) - 34.5W (Tc) 40.3W (Tc) 39W (Tc)
Numero di prodotto di base FDPF9 FDPF8 - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - UniFET™ UniFET™ UniFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 6.5A (Tc) 8A (Tc) 5A (Tc)
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (max) a Id, Vgs - 1.35Ohm @ 3.25A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V

FDPF9N50NZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDPF9N50NZ PDF e la documentazione onsemi per FDPF9N50NZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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