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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDPF680N10T
FDPF680N10T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDPF680N10T - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDPF680N10T
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDPF680N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FDPF680N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDPF680N10T
Specifiche tecniche onsemi - FDPF680N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDPF680N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 24W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDPF680  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDPF680N10T

Proprietà del prodotto FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
Modello di prodotti FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 10A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ UniFET-II™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 600 V 600 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±25V
Dissipazione di potenza (max) 24W (Tc) 21W (Tc) 33.8W (Tc) 33W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V 765 pF @ 75 V 865 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base FDPF680 FDPF770 - FDPF5

FDPF680N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDPF680N10T PDF e la documentazione onsemi per FDPF680N10T - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FDPF680N10T.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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