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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP8880
FDP8880 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP8880 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP8880
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP8880
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDB8880, FDP8880.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP8880
Specifiche tecniche onsemi - FDP8880, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP8880

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 54A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP88  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP8880

Proprietà del prodotto FDP8880 FDP8880 FDP8N50NZ FDP8874
Modello di prodotti FDP8880 FDP8880 FDP8N50NZ FDP8874
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Numero di prodotto di base FDP88 - - FDP88
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 54A (Tc) 11A (Ta), 54A (Tc) 8A (Tc) 16A (Ta), 114A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 130W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 15 V 1240 pF @ 15 V 735 pF @ 25 V 3130 pF @ 15 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 500 V 30 V
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 40A, 10V 11.6mOhm @ 40A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V 5.3mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FDP8880 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP8880 PDF e la documentazione onsemi per FDP8880 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDB8880, FDP8880.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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