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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP6030BL
FDP6030BL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP6030BL - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP6030BL
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP6030BL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP6030BL
Specifiche tecniche onsemi - FDP6030BL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP6030BL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP6030BL

Proprietà del prodotto FDP6030BL FDP5800 FDP5N60NZ FDP6030L
Modello di prodotti FDP6030BL FDP5800 FDP5N60NZ FDP6030L
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V 145 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDP60 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 80A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 13mOhm @ 26A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 14A (Ta), 80A (Tc) 4.5A (Tc) 48A (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET-II™ PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V 9160 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 1250 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 242W (Tc) 100W (Tc) 52W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 600 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDP6030BL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP6030BL PDF e la documentazione onsemi per FDP6030BL - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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