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United States(English) Canada(English) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP33N25
FDP33N25 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP33N25 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP33N25
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP33N25
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP33N25 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP33N25
Specifiche tecniche onsemi - FDP33N25, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP33N25

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 235W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP33  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP33N25

Proprietà del prodotto FDP33N25 FDP33N25 FDP3652 FDP2D3N10C
Modello di prodotti FDP33N25 FDP33N25 FDP3652 FDP2D3N10C
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 9A (Ta), 61A (Tc) 222A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Numero di prodotto di base FDP33 - FDP36 FDP2D3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 235W (Tc) 235W (Tc) 150W (Tc) 214W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 700µA
Serie UniFET™ UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 16mOhm @ 61A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V 2135 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 11180 pF @ 50 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V

FDP33N25 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP33N25 PDF e la documentazione onsemi per FDP33N25 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf Wafer Fab Change 27/Sep/2022.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP33N25 Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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