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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP26N40
FDP26N40 Image
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FDP26N40 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP26N40
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP26N40
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP26N40.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15519

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP26N40
Specifiche tecniche onsemi - FDP26N40, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP26N40

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 265W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3185 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP26  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP26N40

Proprietà del prodotto FDP26N40 FDP2614 FDP2710 FDP2670
Modello di prodotti FDP26N40 FDP2614 FDP2710 FDP2670
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 99 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 200 V 250 V 200 V
Serie UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FDP26 - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3185 pF @ 25 V 7230 pF @ 25 V 7280 pF @ 25 V 1320 pF @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 265W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc) 93W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 13A, 10V 27mOhm @ 31A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V 130mOhm @ 10A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc) 62A (Tc) 50A (Tc) 19A (Ta)

FDP26N40 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP26N40 PDF e la documentazione onsemi per FDP26N40 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP26N40.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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