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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP090N10
FDP090N10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP090N10 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP090N10
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP090N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP090N10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26973

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP090N10
Specifiche tecniche onsemi - FDP090N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP090N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8225 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP090  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP090N10

Proprietà del prodotto FDP090N10 FDP083N15A FDP085N10A-F102 FDP120N10
Modello di prodotti FDP090N10 FDP083N15A FDP085N10A-F102 FDP120N10
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V 8.3mOhm @ 75A, 10V 8.5mOhm @ 96A, 10V 12mOhm @ 74A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) 294W (Tc) 188W (Tc) 170W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8225 pF @ 25 V 6040 pF @ 25 V 2695 pF @ 50 V 5605 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 83A (Tc) 96A (Tc) 74A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDP090 FDP083 FDP085 FDP120
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 100 V 100 V

FDP090N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP090N10 PDF e la documentazione onsemi per FDP090N10 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP090N10.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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