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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP053N08B-F102
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP053N08B-F102 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP053N08B-F102
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP053N08B-F102
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FDP053N08B_F102.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP053N08B-F102
Specifiche tecniche onsemi - FDP053N08B-F102, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP053N08B-F102

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5960 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP053  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP053N08B-F102

Proprietà del prodotto FDP053N08B-F102 FDP060AN08A0 FDP054N10 FDP070AN06A0
Modello di prodotti FDP053N08B-F102 FDP060AN08A0 FDP054N10 FDP070AN06A0
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base FDP053 FDP060 FDP054 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 80A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc) 255W (Tc) 263W (Tc) 175W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 16A (Ta), 80A (Tc) 120A (Tc) 15A (Ta), 80A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 75 V 100 V 60 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5960 pF @ 40 V 5150 pF @ 25 V 13280 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FDP053N08B-F102 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP053N08B-F102 PDF e la documentazione onsemi per FDP053N08B-F102 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Schede tecniche
FDP053N08B_F102.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Capacity Expansion 29/Oct/2021.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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