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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDN372S
FDN372S Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDN372S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDN372S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDN372S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FDN372S.pdf
In magazzino: 5470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDN372S
Specifiche tecniche onsemi - FDN372S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDN372S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 2.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDN372  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDN372S

Proprietà del prodotto FDN372S FDN537N FDN371N FDN371N
Modello di prodotti FDN372S FDN537N FDN371N FDN371N
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SuperSOT-3
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 2.6A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 1.5W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V 815 pF @ 10 V 815 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 2.5A (Ta) 2.5A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±20V ±12V ±12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V 8.4 nC @ 10 V 10.7 nC @ 4.5 V 10.7 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base FDN372 FDN537 FDN371 FDN371
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V

FDN372S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDN372S PDF e la documentazione onsemi per FDN372S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 08/April/2008.pdf Wire Bonding 07/Nov/2008.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Schede tecniche
FDN372S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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