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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS86300
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS86300 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS86300
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS86300
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS86300.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22986

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS86300
Specifiche tecniche onsemi - FDMS86300, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS86300

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7082 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS86  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS86300

Proprietà del prodotto FDMS86300 FDMS86250 FDMS86350 FDMS86255
Modello di prodotti FDMS86300 FDMS86250 FDMS86350 FDMS86255
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 80A (Tc) 6.7A (Ta), 20A (Tc) 25A (Ta), 130A (Tc) 10A (Ta), 45A (Tc)
Numero di prodotto di base FDMS86 FDMS86 FDMS86 FDMS86
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 6V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7082 pF @ 40 V 2330 pF @ 75 V 10680 pF @ 40 V 4480 pF @ 75 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 19A, 10V 25mOhm @ 6.7A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 12.4mOhm @ 10A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 150 V 80 V 150 V

FDMS86300 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS86300 PDF e la documentazione onsemi per FDMS86300 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
FDMS86300.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Capacity Expansion 20/Aug/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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