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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS8026S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS8026S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS8026S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS8026S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS8026S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS8026S
Specifiche tecniche onsemi - FDMS8026S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS8026S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS8026  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS8026S

Proprietà del prodotto FDMS8026S FDMS8027S FDMS8026S FDMS8050ET30
Modello di prodotti FDMS8026S FDMS8027S FDMS8026S FDMS8050ET30
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V 1815 pF @ 15 V 2280 pF @ 15 V 22610 pF @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 4.3mOhm @ 19A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc) 18A (Ta), 22A (Tc) 19A (Ta), 22A (Tc) 55A (Ta), 423A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 750µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Numero di prodotto di base FDMS8026 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)

FDMS8026S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS8026S PDF e la documentazione onsemi per FDMS8026S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Schede tecniche
FDMS8026S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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