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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMS3660S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS3660S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS3660S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS3660S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS3660S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30099

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS3660S
Specifiche tecniche onsemi - FDMS3660S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS3660S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A, 60A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base FDMS3660  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS3660S

Proprietà del prodotto FDMS3660S FDMS3622S FDMS3622S FDMS3664S
Modello di prodotti FDMS3660S FDMS3622S FDMS3622S FDMS3664S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V 1570pF @ 13V 1570pF @ 13V 1765pF @ 15V
Numero di prodotto di base FDMS3660 FDMS3622 FDMS3622 FDMS3664
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 26nC @ 10V 26nC @ 10V 29nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A, 60A 17.5A, 34A 17.5A, 34A 13A, 25A
Tensione drain-source (Vdss) 30V 25V 25V 30V
Contenitore dispositivo fornitore Power56 Power56 Power56 8-PQFN (5x6)
Potenza - Max 1W 1W 1W 1W

FDMS3660S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS3660S PDF e la documentazione onsemi per FDMS3660S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
FDMS3660S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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