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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDME910PZT
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDME910PZT - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDME910PZT
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDME910PZT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerUFDFN
Scheda dati
FDME910PZT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDME910PZT
Specifiche tecniche onsemi - FDME910PZT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDME910PZT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MicroFet 1.6x1.6 Thin  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-PowerUFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDME910  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDME910PZT

Proprietà del prodotto FDME910PZT FDME910PZT FDME410NZT FDME905PT
Modello di prodotti FDME910PZT FDME910PZT FDME410NZT FDME905PT
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 10 V 2110 pF @ 10 V 1025 pF @ 10 V 2315 pF @ 6 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 26mOhm @ 7A, 4.5V 22mOhm @ 8A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) 8A (Ta) 7A (Ta) 8A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
Numero di prodotto di base FDME910 - FDME41 -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta)

FDME910PZT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDME910PZT PDF e la documentazione onsemi per FDME910PZT - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Schede tecniche
FDME910PZT.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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