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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC8882
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC8882 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC8882
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC8882
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMC8882.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 93080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC8882
Specifiche tecniche onsemi - FDMC8882, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC8882

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.3mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC88  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC8882

Proprietà del prodotto FDMC8882 FDMC8884 FDMC8884 FDMC8854
Modello di prodotti FDMC8882 FDMC8884 FDMC8884 FDMC8854
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 15A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 3405 pF @ 10 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base FDMC88 - FDMC88 FDMC88
Rds On (max) a Id, Vgs 14.3mOhm @ 10.5A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDMC8882 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC8882 PDF e la documentazione onsemi per FDMC8882 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDMC8882.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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