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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC86261P
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC86261P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC86261P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC86261P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMC86261P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 51870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC86261P
Specifiche tecniche onsemi - FDMC86261P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC86261P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 2.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta), 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC86261  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC86261P

Proprietà del prodotto FDMC86261P FDMC86262P FDMC86248 FDMC86320
Modello di prodotti FDMC86261P FDMC86262P FDMC86248 FDMC86320
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDMC86261 FDMC86262 FDMC86 -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250mA 4.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 75 V 885 pF @ 75 V 525 pF @ 75 V 2640 pF @ 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 150 V 150 V 80 V
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 2.4A, 10V 307mOhm @ 2A, 10V 90mOhm @ 3.4A, 10V 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) Power33 8-MLP (3.3x3.3)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2A (Ta), 8.4A (Tc) 3.4A (Ta) 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 8V, 10V

FDMC86261P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC86261P PDF e la documentazione onsemi per FDMC86261P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Design Change 03/Aug/2015.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDMC86261P.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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