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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC5614P
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC5614P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC5614P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC5614P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMC5614P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC5614P
Specifiche tecniche onsemi - FDMC5614P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC5614P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC5614  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC5614P

Proprietà del prodotto FDMC5614P FDMC4D9P20X8 FDMC6675BZ FDMC4436BZ
Modello di prodotti FDMC5614P FDMC4D9P20X8 FDMC6675BZ FDMC4436BZ
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 18A (Ta), 75A (Tc) 9.5A (Ta), 20A (Tc) -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.4W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V 4.9mOhm @ 18A, 4.5V 14.4mOhm @ 9.5A, 10V -
Numero di prodotto di base FDMC5614 FDMC4 FDMC6675 FDMC44
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.6V @ 250µA 3V @ 250µA -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 20 V 30 V -
Vgs (Max) ±20V ±12V ±25V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 30 V 10550 pF @ 10 V 2865 pF @ 15 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 109 nC @ 4.5 V 65 nC @ 10 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

FDMC5614P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC5614P PDF e la documentazione onsemi per FDMC5614P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 17/March/2008.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
FDMC5614P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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