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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDH44N50
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDH44N50 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDH44N50
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDH44N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FDH44N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10745

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDH44N50
Specifiche tecniche onsemi - FDH44N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDH44N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5335 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDH44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDH44N50

Proprietà del prodotto FDH44N50 FDH5500 FDH5500 FDH50N50
Modello di prodotti FDH44N50 FDH5500 FDH5500 FDH50N50
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V 268 nC @ 20 V 268 nC @ 20 V 137 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - UltraFET™ UltraFET™ UniFET™
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 48A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 105mOhm @ 24A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base FDH44 - FDH550 FDH50
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 55 V 55 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 625W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5335 pF @ 25 V 3565 pF @ 25 V 3565 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V

FDH44N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDH44N50 PDF e la documentazione onsemi per FDH44N50 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Mold Chgs 11/May/2021.pdf
Schede tecniche
FDH44N50.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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