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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDG6335N
FDG6335N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDG6335N - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDG6335N
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDG6335N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
FDG6335N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 215210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDG6335N
Specifiche tecniche onsemi - FDG6335N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDG6335N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 700mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDG6335  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDG6335N

Proprietà del prodotto FDG6335N FDG6332C-PG FDG6332C-F085 FDG8850NZ
Modello di prodotti FDG6335N FDG6332C-PG FDG6332C-F085 FDG8850NZ
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V 1.44nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 700mA 700mA (Ta), 600mA (Ta) 700mA, 600mA 750mA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Serie PowerTrench® - Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V 113pF @ 10V 120pF @ 10V
Potenza - Max 300mW 300mW (Ta) 300mW 300mW
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDG6335 - FDG6332 FDG8850
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Caratteristica FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDG6335N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDG6335N PDF e la documentazione onsemi per FDG6335N - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 15/Mar/2023.pdf
Schede tecniche
FDG6335N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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