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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD8782
FDD8782 Image
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FDD8782 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDD8782
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD8782
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD8782/FDU8782.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD8782
Specifiche tecniche onsemi - FDD8782, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDD8782

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDD878  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDD8782

Proprietà del prodotto FDD8782 FDD8874 FDD8796 FDD8770
Modello di prodotti FDD8782 FDD8874 FDD8796 FDD8770
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 13 V 2990 pF @ 15 V 2610 pF @ 13 V 3720 pF @ 13 V
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 35A, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 4mOhm @ 35A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDD878 FDD887 - FDD877
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 18A (Ta), 116A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 110W (Tc) 88W (Tc) 115W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDD8782 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDD8782 PDF e la documentazione onsemi per FDD8782 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDD8782/FDU8782.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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