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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD6776A
FDD6776A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD6776A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDD6776A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD6776A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FD(D,U)6776A(_F071).pdf
In magazzino: 3690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD6776A
Specifiche tecniche onsemi - FDD6776A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDD6776A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17.7A (Ta), 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDD677  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDD6776A

Proprietà del prodotto FDD6776A FDD6696 FDD6778A FDD6780
Modello di prodotti FDD6776A FDD6696 FDD6778A FDD6780
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17.7A (Ta), 30A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc) 12A (Ta), 10A (Tc) 16.5A (Ta), 30A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 39W (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDD677 - FDD677 FDD678
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 13 V 1715 pF @ 15 V 870 pF @ 13 V 1590 pF @ 13 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.7A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 8.5mOhm @ 16.5A, 10V

FDD6776A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDD6776A PDF e la documentazione onsemi per FDD6776A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FD(D,U)6776A(_F071).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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