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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD24AN06LA0
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD24AN06LA0 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDD24AN06LA0
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD24AN06LA0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD24AN06LA0.pdf
In magazzino: 4540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD24AN06LA0
Specifiche tecniche onsemi - FDD24AN06LA0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDD24AN06LA0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDD24  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDD24AN06LA0

Proprietà del prodotto FDD24AN06LA0 FDD20AN06A0 FDD20AN06A0 FDD18N20LZ
Modello di prodotti FDD24AN06LA0 FDD20AN06A0 FDD20AN06A0 FDD18N20LZ
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 1575 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 200 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc) 89W (Tc)
Numero di prodotto di base FDD24 FDD20 - FDD18N20
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 125mOhm @ 8A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® UniFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc) 8A (Ta), 45A (Tc) 8A (Ta), 45A (Tc) 16A (Tc)

FDD24AN06LA0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDD24AN06LA0 PDF e la documentazione onsemi per FDD24AN06LA0 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDD24AN06LA0.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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