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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD068AN03L
FDD068AN03L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD068AN03L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDD068AN03L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD068AN03L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD068AN03L, FDU068AN03L.pdf
In magazzino: 5250

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD068AN03L
Specifiche tecniche onsemi - FDD068AN03L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDD068AN03L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDD068  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDD068AN03L

Proprietà del prodotto FDD068AN03L FDD050N03B FDD050N03B FDD107AN06LA0
Modello di prodotti FDD068AN03L FDD050N03B FDD050N03B FDD107AN06LA0
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 35A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 5.5 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) 65W (Tc) 65W (Tc) 25W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 2875 pF @ 15 V 2875 pF @ 15 V 360 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDD068 - FDD050 FDD107
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 91mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

FDD068AN03L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDD068AN03L PDF e la documentazione onsemi per FDD068AN03L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDD068AN03L, FDU068AN03L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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