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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC8602
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC8602 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC8602
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC8602
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC8602.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC8602
Specifiche tecniche onsemi - FDC8602, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC8602

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 1.2A, 10V  
Potenza - Max 690mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 50V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDC8602  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC8602

Proprietà del prodotto FDC8602 FDC855N MOS FDC8601-NL FDC86244
Modello di prodotti FDC8602 FDC855N MOS FDC8601-NL FDC86244
fabbricante onsemi Fairchild (onsemi) Fairchild (onsemi) onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 50V - - 345 pF @ 75 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V - - 6 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 1.2A, 10V - - 144mOhm @ 2.3A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A - - 2.3A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 - - SuperSOT™-6
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - - 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 100V - - 150 V
Numero di prodotto di base FDC8602 - - FDC8624
Potenza - Max 690mW - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Serie PowerTrench® - - PowerTrench®
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC8602 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC8602 PDF e la documentazione onsemi per FDC8602 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 23/Apr/2020.pdf
Schede tecniche
FDC8602.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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