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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC6561AN
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6561AN - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6561AN
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6561AN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6561AN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 140390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6561AN
Specifiche tecniche onsemi - FDC6561AN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6561AN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDC6561  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6561AN

Proprietà del prodotto FDC6561AN FDC655AN_NL FDC655BN FDC658
Modello di prodotti FDC6561AN FDC655AN_NL FDC655BN FDC658
fabbricante onsemi Fairchild (onsemi) Fairchild Semiconductor MI
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA - 3V @ 250µA -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V - 570 pF @ 15 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A - 6.3A (Ta) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie PowerTrench® - PowerTrench® -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V - 15 nC @ 10 V -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Bulk -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - 30 V -
Potenza - Max 700mW - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Numero di prodotto di base FDC6561 - - -
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 - SuperSOT™-6 -
Rds On (max) a Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V - 25mOhm @ 6.3A, 10V -

FDC6561AN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6561AN PDF e la documentazione onsemi per FDC6561AN - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
FDC6561AN.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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