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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC6327C
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6327C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6327C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6327C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6327C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 188810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6327C
Specifiche tecniche onsemi - FDC6327C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6327C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A, 1.9A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDC6327  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6327C

Proprietà del prodotto FDC6327C FDC6324L FDC6325L-NL FDC6325L
Modello di prodotti FDC6327C FDC6324L FDC6325L-NL FDC6325L
fabbricante onsemi onsemi Fairchild (onsemi) onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A, 1.9A - - -
Numero di prodotto di base FDC6327 FDC6324 - FDC6325
Tensione drain-source (Vdss) 20V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA - - -
Configurazione N and P-Channel - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V - - -
Serie PowerTrench® - - -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Potenza - Max 700mW - - -
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 - SuperSOT™-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V - - -

FDC6327C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6327C PDF e la documentazione onsemi per FDC6327C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
Packaging PCN
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDC63yyy 14/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDC6327C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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