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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC6322C
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6322C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6322C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6322C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6322C.pdf
In magazzino: 4230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6322C
Specifiche tecniche onsemi - FDC6322C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6322C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 460mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDC6322  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6322C

Proprietà del prodotto FDC6322C FDC6322C FDC6321C FDC6320C
Modello di prodotti FDC6322C FDC6322C FDC6321C FDC6320C
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Serie - - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base FDC6322 FDC6322 FDC6321 FDC6320
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V 0.7nC @ 4.5V 2.3nC @ 5V 0.4nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 700mW 700mW 700mW 700mW
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 460mA 220mA, 460mA 680mA, 460mA 220mA, 120mA
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V

FDC6322C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6322C PDF e la documentazione onsemi per FDC6322C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 08/April/2008.pdf
Schede tecniche
FDC6322C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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