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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC6302P
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6302P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6302P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6302P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 25V 120MA SSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6302P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6302P
Specifiche tecniche onsemi - FDC6302P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6302P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDC6302  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6302P

Proprietà del prodotto FDC6302P FDC6303N FDC6305N FDC6302P
Modello di prodotti FDC6302P FDC6303N FDC6305N FDC6302P
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA 680mA 2.7A 120mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base FDC6302 FDC6303 FDC6305 FDC6302
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 700mW 700mW 700mW 700mW
Serie - - PowerTrench® -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V 50pF @ 10V 310pF @ 10V 11pF @ 10V

FDC6302P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6302P PDF e la documentazione onsemi per FDC6302P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 08/April/2008.pdf FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 6/May/2020.pdf
Schede tecniche
FDC6302P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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