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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC3535
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC3535 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC3535
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC3535
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC3535.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC3535
Specifiche tecniche onsemi - FDC3535, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC3535

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC3535  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC3535

Proprietà del prodotto FDC3535 FDC2612 FDC30N20DZ FDC3512
Modello di prodotti FDC3535 FDC2612 FDC30N20DZ FDC3512
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 200 V 30 V 80 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 960mW (Ta) 1.6W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FDC3535 FDC2612 FDC30N20 FDC3512
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Rds On (max) a Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V 725mOhm @ 1.1A, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V 77mOhm @ 3A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 40 V 234 pF @ 100 V 535 pF @ 15 V 634 pF @ 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 7.9 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta) 1.1A (Ta) 4.6A (Ta) 3A (Ta)

FDC3535 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC3535 PDF e la documentazione onsemi per FDC3535 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Datasheet Update 20/Jul/2015.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
FDC3535.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 23/Apr/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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