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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB3672
FDB3672 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDB3672 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDB3672
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB3672
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB3672-F085.pdf
In magazzino: 4070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB3672
Specifiche tecniche onsemi - FDB3672, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDB3672

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 44A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDB367  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDB3672

Proprietà del prodotto FDB3672 FDB390N15A FDB38N30U FDB3632
Modello di prodotti FDB3672 FDB390N15A FDB38N30U FDB3632
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDB367 FDB390 FDB38N30 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 18.6 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 44A, 10V 39mOhm @ 27A, 10V 120mOhm @ 19A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 44A (Tc) 27A (Tc) 38A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 75W (Tc) 313W (Tc) 310W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 300 V 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V 1285 pF @ 75 V 3340 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V

FDB3672 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDB3672 PDF e la documentazione onsemi per FDB3672 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDB3672-F085.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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