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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCU2250N80Z
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCU2250N80Z - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCU2250N80Z
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCU2250N80Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FCU2250N80Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCU2250N80Z
Specifiche tecniche onsemi - FCU2250N80Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCU2250N80Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 260µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.25Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCU2250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCU2250N80Z

Proprietà del prodotto FCU2250N80Z FCU2250N80Z FCU900N60Z FCUL1060-H-R33MP3
Modello di prodotti FCU2250N80Z FCU2250N80Z FCU900N60Z FCUL1060-H-R33MP3
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Murata Power Solutions
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 260µA 4.5V @ 260µA 3.5V @ 250µA -
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) 39W (Tc) 52W (Tc) -
Pacchetto Tube Bulk Tube -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc) 2.6A (Tc) 4.5A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 100 V 585 pF @ 100 V 710 pF @ 25 V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V -
Numero di prodotto di base FCU2250 - FCU900 -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 600 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

FCU2250N80Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCU2250N80Z PDF e la documentazione onsemi per FCU2250N80Z - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
FCU2250N80Z.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Transfer 28/Apr/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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