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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCPF16N60
FCPF16N60 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCPF16N60 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCPF16N60
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCPF16N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FCP16N60, FCPF16N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 20790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCPF16N60
Specifiche tecniche onsemi - FCPF16N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCPF16N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie SuperFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 37.9W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCPF16  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCPF16N60

Proprietà del prodotto FCPF16N60 FCPF150N65F FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L
Modello di prodotti FCPF16N60 FCPF150N65F FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 14.9A (Tc) 19A (Tc) 19A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipazione di potenza (max) 37.9W (Tc) 39W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 650 V 650 V
Serie SuperFET™ - SuperFET® III SuperFET® III
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 410µA 4.5V @ 1.9mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Numero di prodotto di base FCPF16 FCPF150 - FCPF165
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 8A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 3737 pF @ 100 V 1415 pF @ 400 V 1415 pF @ 400 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V

FCPF16N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCPF16N60 PDF e la documentazione onsemi per FCPF16N60 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FCP16N60, FCPF16N60.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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