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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCP260N60E
FCP260N60E Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FCP260N60E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCP260N60E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCP260N60E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FCP260N60E.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 29979

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FCP260N60E
Specifiche tecniche onsemi - FCP260N60E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCP260N60E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCP260  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCP260N60E

Proprietà del prodotto FCP260N60E FCP21N60N FCP380N60 FCP220N80
Modello di prodotti FCP260N60E FCP21N60N FCP380N60 FCP220N80
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® II - SuperFET® II SuperFET® II
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V - 1665 pF @ 25 V 4560 pF @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V - 40 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA - 3.5V @ 250µA 4.5V @ 2.3mA
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) - 10.2A (Tc) 23A (Tc)
Numero di prodotto di base FCP260 FCP21 - FCP220
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V - 380mOhm @ 5A, 10V 220mOhm @ 11.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 800 V
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc) - 106W (Tc) 278W (Tc)

FCP260N60E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCP260N60E PDF e la documentazione onsemi per FCP260N60E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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