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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCP190N60-GF102
FCP190N60-GF102 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCP190N60-GF102 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCP190N60-GF102
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCP190N60-GF102
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FCP190N60_GF102.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17038

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCP190N60-GF102
Specifiche tecniche onsemi - FCP190N60-GF102, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCP190N60-GF102

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCP190  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCP190N60-GF102

Proprietà del prodotto FCP190N60-GF102 FCP190N65F FCP190N60 FCP16N60
Modello di prodotti FCP190N60-GF102 FCP190N65F FCP190N60 FCP16N60
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Serie SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V
Numero di prodotto di base FCP190 FCP190 FCP190 FCP16
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc) 167W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V 3225 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc) 20.6A (Tc) 20.2A (Tc) 16A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 5V @ 2mA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FCP190N60-GF102 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCP190N60-GF102 PDF e la documentazione onsemi per FCP190N60-GF102 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
FCP190N60_GF102.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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